开云kaiyun-硅功率MOSFET 技术突破，导通电阻降2.7 倍

美国功率半导体新创iDEAL Semiconductor 公布，其超高效率SuperQ™ 硅功率元件已经正式于Polar Semiconductor 投产，为美国本土供给链注入新动能。

SuperQ 是硅MOSFET 架构的庞大冲破，初次采用专利不合错误称RESURF 布局，这类设计能让MOSFET 于高电压下匀称分离电场，防止能量集中造成损耗，是以能于连结高耐压的同时，年夜幅降低导通电阻与切换损耗。

按照官方新闻稿，导通电阻相较传统硅降低最高2.7 倍，切换损耗削减2.1 倍。今朝，首批150V 与200V 产物已经进入量产，后续将扩大至300V 与400V 运用。 Polar 也正扩建明尼苏达州的200妹妹 晶圆厂，以增援美国本土需求。

功率半导体是支撑电动车马达、AI 资猜中心折务器、再生能源电网的要害元件，因具有蒙受高电压与年夜电流的特征，能有用节制与转换电能。然而，全世界市场持久由欧洲（Infineon、STMicroelectronics）与日本（ROHM、富士机电）等厂商主导，美国于制造端相对于单薄，产能有限。